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    失效分析的一般程序

    失效分析的一般程序

    1、收集现场场数据

    2、电测并确定失效模式

    电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。

    连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易尊龙凯时,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。

    电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。

    确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能尊龙凯时主要用于集成电路。

    三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能尊龙凯时设备和尊龙凯时程序的情况下,有可能用简单的连接性尊龙凯时和参数尊龙凯时方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。

    3、非破坏检查

    X-Ray尊龙凯时,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),尊龙凯时元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。

    适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout

    优势:工期短,直观易分析

    劣势:获得信息有限

    局限性:

    1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;

    2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能尊龙凯时及其他试验获得。

    4、打开封装

    开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。

    机械开封

    化学开封

    5、显微形貌像技术

    光学显微镜分析技术

    扫描电子显微镜的二次电子像技术

    电压效应的失效定位技术

    6、半导体主要失效机理分析

    正常芯片电压衬度像 失效芯片电压衬度像 电压衬度差像

    电应力(EOD)损伤

    静电放电(ESD)损伤

    封装失效

    引线键合失效

    芯片粘接不良

    金属半导体接触退化

    钠离子沾污失效

    氧化层针孔失效

    上述就是为您介绍的有关失效分析的一般程序的内容,对此您还有什么不了解的,欢迎前来咨询我们网站,我们会有专业的人士为您讲解。



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